"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Модификация центра E3 в облученном n-GaAs
Кольченко Т.И., Ломако В.М.
Выставление онлайн: 20 января 1990 г.

На основе анализа изменений спектра НЕСГУ облученного n-GaAs (n0=3· 1014-3· 1017 см-3) в зависимости от напряженности электрического поля, а также данных по термическому отжигу установлено, что пик E3 является составным. Для его модификации E3alpha, являющейся основной в материале с n0=3·1014-1016 см-3, характерны сильная зависимость скорости эмиссии электронов (en) от величины электрического поля (при E >~= 105 В/см2) и высокая термическая стабильность (Tотж=220oС). Модификация E3beta, преобладающая в низкоомном GaAs (n >~= 1017см-3) в случае электронного облучения, отличается сравнительно низкой термической стабильностью (Tотж=140oС) и независимостью en от напряженности электрического поля. Определено, что энергия активации эмиссии электронов для E3beta составляет ~0.37 эВ, а процесс их захвата на центр является термически активируемым с Esigma=0.24 эВ. Показано, что пик E3p, возможно, связан с эмиссией электронов из An+1-состояния конфигурационно-бистабильного центра EM1 в GaAs. Установлено, что отжиг E3beta описывается уравнением кинетики химических реакций 1-го порядка с Etheta=0.86 эВ и lambda0=3·107с-1. Относительно низкая скорость введения E3beta в случае gamma-облучения связывается с низкой термической стабильностью центра.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.