"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании в (Al, Ga)As-GaAs-гетероструктурах с двойным барьером
Алфёров Ж.И., Журавлева В.В., Иванов С.В., Копьев П.С., Корольков В.И., Леденцов Н.Н., Мельцер Б.Я., Табаров Т.С.
Выставление онлайн: 20 января 1990 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.