"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотопроводимость в области циклотронного резонанса двумерного электронного газа в GaAs/AlGaAs при больших факторах заполнения
Варванин Н.А., Губанков В.Н., Котельников И.Н., Медведев Б.К., Мокеров В.Г., Мордовец Н.А.
Выставление онлайн: 19 марта 1990 г.

Исследовались фотопроводимость и пропускание двумерного электронного газа в зависимости от магнитного поля B при воздействии лазерного излучения дальнего ИК диапазона. При факторе заполнения уровней Ландау nu ~ 10 амплитуда, форма и знак фотосигнала зависят от положения линии ЦР относительно осцилляции Шубникова-де-Гааза, что соответствует болометрической модели фотоотклика.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.