Приведены результаты экспериментальных исследовании флуктуации лавинного тока в одной выделенной микроплазме (МП) в низковольтных 6H-SiC p-n-структурах в интервале температур 300/ 700 K. Определены зависимости вероятностей включения (P₀₁) и выключения (P₁₀) от перенапряжения и температуры, сопротивления МП (R_s), напряжения пробоя (U_b) и напряжения (U₀), при котором P₀₁=P₁₀, от температуры. Показано, что температурные коэффициенты напряжения (ТКН) U_b и U₀ носят знакопеременный характер: от 300 до 360 K ТКН отрицательный, свыше 360 K - положительный. Установлено соответствие температурных зависимостей параметров МП в области положительного ТКН модельным представлением для Si p-n-структур. Обсуждаются возможные причины отрицательного ТКН.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.