"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Акустоэлектронное взаимодействие в Te и CdS в сильном магнитном поле
Степуренко А.А., Алиев К.М., Абакарова Н.С.
Выставление онлайн: 19 марта 1990 г.

Исследованы вольтамперные характеристики пьезополупроводниковых кристаллов с сильно выраженной анизотропией электрических и акустоэлектрических свойств (Te и CdS) в сильном продольном и поперечном магнитных полях (mu H/c)2 > 1 в условиях акустоэлектронного взаимодействия. Показано, что в некотором интервале продольного и поперечного магнитных полей независимо от ориентации образцов относительно прикладываемого электрического поля происходит уменьшение на восходящей ВАХ порогового электрического поля акустоэлектронного взаимодействия (АВ) с последующим его ростом при дальнейшем увеличении напряженности магнитного поля. Сильное продольное и особенно поперечное магнитные поля уменьшают амплитуду акустоэлектрических осцилляции, приводя к полному их исчезновению.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.