"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Микроплазмы в идеально однородных p-i-n-структурах
Гафийчук В.В., Дацко Б.И., Кернер Б.С., Осипов В.В.
Выставление онлайн: 19 марта 1990 г.

Установлено, что микроплазмы --- локальные (размером порядка 1 мкм) области сильной ударной ионизации могут возникать в идеально однородных по площади p-n-переходах. Микроплазма является ярким примером узкого пичкового автосолитона гигантской амплитуды, который можно возбудить при относительно малом коэффициенте размножения носителей (M ~ 102/ 103) с помощью кратковременного освещения локальной области в плоскости p-n-перехода импульсом света, поглощение которого приводит к фотогенерации электронно-дырочных пар в области пространственного заряда структуры. С помощью численных экспериментов установлено, что после выключения импульса света в p-i-n-структуре самопроизвольно формируется устойчивая микроплазма, коэффициент умножения носителей M в которой в 105-109 раз может превышать значение M при однородном пробое (вне микроплазмы). Численно изучены кинетика возникновения микроплазм, их форма, а также зависимости размера и амплитуды тока в микроплазме от падения напряжения на структуре.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.