Обнаружено плавное уменьшение интенсивности экситонной люминесценции в GaAs с ростом напряженности СВЧ поля. Для объяснения поведения интенсивности люминесценции при разогреве электронов рассмотрены уменьшение сечения образования экситонов с ростом электронной температуры, а также процессы ударной ионизации экситонно-примесных комплексов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.