"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Инвертированная гетероструктура InP/In0.53Ga0.47As для полевого транзистора
Крещук А.М., Лаурс Е.П., Новиков С.В., Савельев И.Г., Семашко Е.М., Стовповой М.А., Шик А.Я.
Выставление онлайн: 20 мая 1990 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.