Фотоэлектрическими методами исследованы зависимости параметров зонной структуры Si_xGe_1-x от состава материала. Измерения проведены при температурах 10, 85 и 300 K в основном на образцах, полученных газофазной эпитаксией. Представлены зависимости для зазоров Gamma_8v⁺-Gamma_7c^-, Gamma_8v⁺-Gamma_8c^-, Gamma_8v⁺-L_6c⁺ зазора E₁.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.