С помощью разработанной методики расчета пространственного распределения заряда в диэлектрике МДП структур по их фотоинжекционным характеристикам исследовано распределение зарядов, возникающих после туннельной инжекции электронов в структурах Mo-SiO₂-Si, пассивированных фосфорно-силикатным стеклом (ФСС). Показано, что в ФСС накапливается отрицательный заряд. Положительный заряд генерируется у границы Si-SiO₂. Получены пространственные распределения зарядов обоих знаков.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.