"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
Абрамян Ю.А., Папазян К.З., Стафеев В.И.
Выставление онлайн: 19 сентября 1990 г.

Рассмотрены вольт-амперные характеристики монокристаллическпх пленок Pb1-xSnxTe<In> (x=0.22, 0.24, NIn= 0.23, 0.3 и 0.8 ат %) при температуре 4.2 К в присутствии фоновых засветок различной интенсивности. Показано, что присутствие фона 300 К существенно меняет форму вольт-амперных характеристик по сравнению с темновой, уменьшает инерционность фотопроцессов на несколько порядков, а дополнительное освещение через фильтр, срезающий длинноволновую часть спектра, не меняя формы вольт-амперной характеристики, приводит к уменьшению токов. Наблюдаемые явления объясняются в рамках модели ян-теллеровских центров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.