"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb
Андаспаева А.А.1, Баранов А.Н.1, Гельмонт Б.Л.1, Джуртанов Б.Е.1, Зегря Г.Г.1, Именков А.Н.1, Яковлев Ю.П.1, Ястребов С.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Рассчитана и экспериментально изучена температурная зависимость пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе твердого раствора GaInAsSb. Показано, что в интервале температур 77/310 K кривая зависимости пороговой плотности тока от температуры состоит из трех участков, соответствующих трем механизмам рекомбинации неравновесных носителей заряда в активной области. В интервале температур 77/200 K Jth~ T3/2 и определяется скоростью излучательной рекомбинации. При высоких температурах (200/300 K) Jth~ T3/2 и определяется скоростью оже-рекомбинации (CHHS-процесс). При температурах выше комнатной пороговый ток растет с температурой по экспоненциальному закону благодаря оже-процессу СНСС.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.