"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Механизмы изменения электрических и фотоэлектрических свойств монокристаллов твердых растворов ZnxCd1-xTe под действием ультразвука
Гарягдыев Г.1, Городецкий И.Я.1, Джумаев Б.Р.1, Корсунская Н.Е.1, Раренко И.М.1, Шейнкман М.К.1
1Институт полупроводников АН УССР, Киев
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Исследовано влияние ультразвука на электрические, фотоэлектрические и люминесцентные свойства кристаллов ZnxCd1-xTe. Показано, что действие УЗ на электрические и фотоэлектрические характеристики кристаллов ZnxCd1-xTe обусловлено двумя процессами: 1) увеличением плотности дислокаций с последующим отеканием на них подвижных акцепторов, определяющих проводимость; 2) отходом этих акцепторов от дислокации в объем кристалла. Первый процесс доминирует в образцах с малой плотностью дислокаций (<105 см-2) и приводит к уменьшению проводимости sigmaт, интенсивности люминесценции W и величины фототока Iф. Второй процесс доминирует в образцах с большой величиной gamma (>106 см-2) и приводит к росту sigmaт, Iф и W.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.