"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние температуры облучения и электрического поля на образование и стабильность вакансионных дефектов в p-Si
Кучинский П.В.1, Ломако В.М.1, Петрунин А.П.1
1Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Савченко при БГУ им. В.И. Ленина, Минск
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Исследовано влияние сильного электрического поля (E>103 В/см) и температуры на эффективность образования и стабильность дефектов в p-Si при облучении alpha-частицами. Показано, что процессы радиационного дефектообразования в сильном электрическом поле и вне его существенно различны. Облучение в поле приводит к уменьшению эффективности введения дефектов с уровнями Ev+0.18, Ev+0.21 эВ, а дефекты с уровнем Ev+0.13 эВ, которые относятся к вакансии, практически не наблюдаются. Предполагается, что в сильном электрическом поле при облучении отжиг вакансий обусловлен изменением зарядовых состояний V0-> V2- за счет захвата электронов, генерированных в ионизационных процессах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.