Исследовано влияние сильного электрического поля (E>10³ В/см) и температуры на эффективность образования и стабильность дефектов в p-Si при облучении alpha-частицами. Показано, что процессы радиационного дефектообразования в сильном электрическом поле и вне его существенно различны. Облучение в поле приводит к уменьшению эффективности введения дефектов с уровнями E_v+0.18, E_v+0.21 эВ, а дефекты с уровнем E_v+0.13 эВ, которые относятся к вакансии, практически не наблюдаются. Предполагается, что в сильном электрическом поле при облучении отжиг вакансий обусловлен изменением зарядовых состояний V⁰-> V^2- за счет захвата электронов, генерированных в ионизационных процессах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.