"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Затухание квантования Ландау как метод изучения совершенства границы раздела гетероперехода с 2D-электронами
Кадушкин В.И.1
1Научно-исследовательский технологический институт, Рязань
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Проанализированы осцилляции Шубникова-де-Гааза поперечного магнитосопротивления селективно легированных гетероструктур n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами при T=4.2 K и магнитном поле до 7.2 Т. Из магнитополевой зависимости амплитуды осцилляции (графики Дингла) определен фактор нетеплового (столкновительного) уширения уровней Ландау (температура Дингла TD). Установлена линейная связь TD с концентрацией электронов в двумерном канале ns. Теоретический анализ показал, что такой вид связи TD и ns обеспечивают флуктуации потенциального рельефа, которому следуют флуктуации электронной плотности. Эта модель на основе сопоставления соответствующих времен релаксации позволила выполнить оценки характерных размеров флуктуаций. В исследованных структурах установлены флуктуации от 8.5 до 80 Angstrem. Определена "приведенная" к поверхностной концентрация рассеивающих центров NBI (поверхностных состояний), обусловливающих нетепловое уширение уровней Ландау: 1.4·109=< NBI=<7.0·109 см-2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.