"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Измерение эффективного времени жизни носителей заряда в полупроводниках
Амальская Р.М.1, Гамарц Е.М.1, Сафаров В.И.1
1Всесоюзный научно-исследовательский институт "Электронстандарт", Ленинград
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Теоретически и экспериментально исследовано влияние на эффективное время жизни носителей процессов рекомбинации, носителей на непланарной поверхности кремниевых подложек и диффузионного расплывания, носителей из освещенной области полупроводника в область тени, а также соотношения размеров возбуждающего и зондирующего пучков в методе оптической модуляции ИК поглощения. Исследованы границы применимости, оптимальные условия реализации метода, приведена оценка методической погрешности измерения эффективного времени жизни.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.