"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Зависимость скорости образования вторичных дефектов в p-Si от интенсивности электронного облучения
Емцев В.В.1, Клингер П.М.1, Миразизян К.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.