Ионы Р⁺ с энергией 100 кэВ внедрялись в p-Si дозами 3· 10¹³/ 10¹⁶ см^-2 при плотности ионного тока ~ 1 мкА/см² и температурах подложки T_i=600/ 1100^oC. С помощью холловских измерений, просвечивающей электронной микроскопии и измерений прямых токов через p-n-переходы изучены свойства формирующихся n-слоев в сравнении с данными по имплантации с последующим отжигом при равных температурах. Для обоих видов нагрева наклон кривых электрической активации фосфора стремится вблизи 900^oC к величинам, характерным для диффузионных процессов (~ 4/ 5 эВ). При более низких температурах различия в активации обусловлены подавлением при "горячем" внедрении низкотемпературных форм накопления дефектов. Высокотемпературная имплантация приводит к значительной (до ~ 2 мкм) радиационно-ускоренной диффузии (РУД) фосфора. При всех T_i>600^oC проникающий вглубь за счет РУД фосфор полностью электрически активен. Ускорение обусловлено генерацией избыточных подвижных точечных дефектов, квазиравновесная концентрация которых, по данным РУД и по скорости роста междоузельных дислокационных петель, близка к ~ 10¹³ см^-3. Рост T_i препятствует накоплению дефектов, поэтому горячая имплантация дает структурно более совершенные n-слои, чем соответствующий постимплантационный отжиг. В области p-n-переходов дополнительных центров рекомбинации, связанных с высокотемпературным внедрением, не обнаружено.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.