Проанализированы квантовые осцилляции Шубникова-де-Гааза селективно легированных гетероструктур с 2D-электронами Al_xGa_1-xAs/GaAs с концентрациями носителей тока от 3.46· 10¹¹ до 15.2· 10¹¹ см^-2 (всего более 20 структур) в диапазоне магнитных полей до 8 Т и гелиевых температурах. Установлено, что имеется две группы структур, одни с начальной фазой осцилляций 0.3pi и другие - 0.5pi, что близко к теоретической величине 0.25pi для объемных и 0.5pi для двумерных электронов. Установлено, что, как и в случае объемных полупроводников, осцилляции ЭДС ФМЭ опережают по фазе осцилляции поперечного магнитосопротивления.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.