Приводятся экспериментальные результаты исследований одноосной упругой деформации на условия возбуждения рекомбинационных волн (РВ) и на параметры колебаний тока, генерируемых в образцах Si<Mn> с различной степенью компенсации и кристаллографическими направлениями [111], [110], [100]. Установлено, что при увеличении давления в интервале значений X=(10⁵ / 4· 10⁸) Па пороговое поле возбуждения РВ в сильно компенсированных образцах Si<Mn> уменьшается, а пороговая частота увеличивается. При этом амплитуда колебания I_k увеличивалась от 0.5 до 7.5 мкА, т. е. примерно в 15-16 раз, а частота колебаний f_k уменьшалась незначительно: от 2.7 до 2.2 кГц. При этом скорости изменения пороговых величин РВ и параметров колебаний тока оказались наибольшими для направления сжатия [111]. Для перекомпенсированных образцов Si<Mn> n-типа характер этих зависимостей оказался противоположным независимо от направления сжатия. При этом изменение частоты колебаний f_k примерно в 1.4 раза превосходит, а амплитуда колебаний I_k в 4 раза меньше соответствующих параметров для сильно компенсированных образцов. Полученные результаты были объяснены различной скоростью изменения степени заполнения уровня марганца E_c-0.55 эВ в зависимости от направления сжатия, приводящего к увеличению концентрации электронов в зоне проводимости. При этом величина коэффициента alpha, характеризующего пороговое поле, в сильно компенсированных образцах увеличивается, а в перекомпенсированных образцах уменьшается. Это определяет характер зависимости пороговых величин от давления.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.