Изучено изменение прямой ветви ВАХ структур GaAs-Ni после воздействия на них лазерного излучения различной интенсивности. Обнаружено появление избыточного тока по сравнению с током в исходных структурах, величина которого зависела от интенсивности облучения. Показано, что избыточный ток обусловлен многоступенчатым туннелированием сквозь широкий слой объемного заряда.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.