"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние смешивания электронных состояний электронно-колебательным взаимодействием на строение и пьезоспектроскопические свойства ян-теллеровских акцепторов в GaAs
Аверкиев Н.С.1, Гуткин А.А.1, Осипов Е.Б.1, Седов В.Е.1, Смирнов Н.А.1, Цацульников А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Санкт-Петербург
Выставление онлайн: 20 октября 1991 г.

Модель анизотропного тетрагонального двойного акцептора в кристаллах типа GaAs, анизотропия которого обусловлена эффектом Яна-Теллера, а исходное основное состояние имеет Gamma8-симметрию, обобщена с учетом смешивания ян-теллеровской E-модой колебаний состояний различных типов. Анализ выполнен в рамках теории возмущений, предполагающей относительную малость подмешивания возбужденных состояний к основному. Рассмотрены особенности формы нижнего листа адиабатического потенциала центра и пьезоспектроскопические свойства фотолюминесценции, обусловленной захватом электронов из зоны проводимости на нейтральный центр. Показано, что возникновение барьеров между состояниями с эквивалентными конфигурациями нейтрального акцептора определяется подмешиванием состояний типа Gamma6 и Gamma7, а увеличение по сравнению с 4 поляризационного отношения фотолюминесценции относительно оси его внутреннего искажения связано с подмешиванием состояний типа Gamma7. Рассмотренная модель объясняет результаты экспериментов для акцепторов Ag0Ga, Au0Ga в GaAs и позволяет заключить, что пространственное строение и структура основного состояния этих центров и акцептора Сu0Ga подобны. Количественные отличия пьезоспектроскопических свойств Ag0Ga и Au0Ga от свойств Cu0Ga вызваны большей величиной энергии ян-теллеровской стабилизации и большим смешиванием исходного состояния с Gamma7-состоянием.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.