"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние разупорядоченности на глубокие центры в кристаллах Ga1-xInxAs и GaAs
Алиев М.И.1, Халилов Х.А.1, Рашидова Ш.Ш.1, Алиев И.М.1
1Институт физики АН АзССР, Баку
Выставление онлайн: 20 октября 1991 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.