"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Высокочастотная модуляция выходной мощности полупроводникового лазера на двойной гетероструктуре n+-AlGaAs-GaAs-p*-AlGaAs греющим электрическим полем
Горфинкель В.Б., Филатов И.И.
Выставление онлайн: 18 февраля 1992 г.

Теоретически исследован метод модуляции выходного излучения полупроводникового лазера на двойной гетероструктуре n+-AlGaAs-GaAs-p+-AlGaAs при разогреве электронов в активной области лазера внешним высокочастотным электрическим полем. Проведенный малосигнальный анализ отклика выходного излучения на высокочастотные изменения греющего поля показал преимущество предлагаемого метода модуляции перед широко распространенным методом модуляции излучения лазера током накачки. Показано, что при воздействии на лазер одиночного импульса греющего поля пикосекундной длительности лазер излучает одиночный оптический импульс длительностью несколько пикосекунд.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.