"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоиндуцированное образование центров поверхностной рекомбинации в арсениде галлия
Гукасян А.М., Ушаков В.В., Гиппиус А.А., Марков А.В.
Выставление онлайн: 18 февраля 1992 г.

В экспериментах с использованием техники микрофотолюминесценции исследовано явление "деградации" фотолюминесценции (ФЛ) GaAs. Установлено, что природа явления связана с фотоиндуцированным изменением рекомбинационных характеристик поверхности образцов. Показано, что условия транспорта неравновесных носителей в области поверхностного заряда определяют скорость процессов деградации. Помимо увеличения плотности поверхностных электронных состояний в результате фотохимических реакций в слое собственного окисла деградация ФЛ отчасти является результатом захвата в слое собственного окисла заряда, обеспечивающего благоприятные условия для увеличения темпа поверхностной рекомбинации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.