Исследовано оптическое поглощение в области A-линии связанного экситона в GaAs_xP_1-x, легированном азотом. Обнаружена тонкая структура этой линии, обусловленная флуктуациями состава. В предложенной теоретической модели предполагается, что сначала формируется свободный экситон, который затем связывается на delta-образном потенциале изоэлектронной ловушки как единое целое. Наблюдается хорошее согласие расчетных и экспериментальных данных.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.