Исследовался эффект поляризационной анизотропии оптического отражения кристаллов GaAs ориентации (110) в области края фундаментального поглощения. Эффект состоит в том, что коэффициенты отражения R_|| и R _normal света, линейно поляризованного соответственно вдоль двух лежащих на данной плоскости осей [110] и [001], оказываются различными. Для изучения эффекта использовалась методика модуляции поляризации падающего излучения. Эксперименты выполнялись на поверхностно-барьерных структурах на основе слабо легированного GaAs при приложении напряжения смещения, а также на образцах с различным уровнем легирования. Показано, что зависящая от приповерхностного поля часть анизотропии отражения может анализироваться в рамках теории электроотражения. В области края поглощения наблюдаются осцилляции Франца-Келдыша. В области же переходов выше края поглощения (переходы E₁, E₁+Delta₁) осцилляции не наблюдаются, что согласуется с теорией.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.