Описан простой высокочувствительный фотоэлектрический метод определения коэффициента примесного оптического поглощения в полуизоляторах, основанный на измерении нормированной спектральной зависимости поперечной фотопроводимости образца при дополнительной подсветке. Показана возможность определения этим методом не только фотоактивной, но также и нефотоактивной части коэффициента поглощения. Метод апробирован на полуизолирующем GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.