Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2014, выпуск 1 » Статья стр. 73
<<<>>>
MHEMT с предельной частотой усиления по мощности fmax=0.63 ТГц на основе наногетероструктуры In0.42Al0.58As/In0.42Ga0.58As/In0.42Al0.58As/GaAs
Лаврухин Д.В.1, Ячменев А.Э.1, Галиев Р.Р.1, Хабибуллин Р.А.1, Пономарев Д.С.1, Федоров Ю.В.1, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 10 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.
PDF версия
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии была выращена наногетероструктура In0.42Al0.58As/In0.42Ga0.58As/ In0.42Al0.58As cо ступенчатым метаморфным буфером на подложке GaAs. Среднеквадратичное значение шероховатости поверхности составило 3.1 нм. На данной наногетероструктуре был изготовлен MHEMT транзистор c зигзагообразным затвором длиной 46 нм, для которого предельные частоты усиления по току и по мощности составили fT=0.13 TГц и fmax=0.63 TГц соответственно.
  1. G.I. Ng, K. Radhakrishan, H. Wang. Proc. 13th Int. GaAs Symp. (Paris, France, 2005) p. 13
  2. D. Kim, J. Alamo, P. Chen, W. Ha, M. Urteaga, B. Brar. Proc. IEEE Int. Electron Devices Meet. (2010) p. 30.6.1
  3. J.A. del Alamo. Nature, 479, 317 (2011)
  4. D.-H. Kim, B. Brar, J.A. del Alamo. Proc. IEEE Int. Electron Devices Meeting (Washington, DC, 2011)
  5. A. Leuther, A. Tessmann, H. Massler, R. Aidam, M. Schlechtweg, O. Ambacher. Proc. 24th Int. Conf. Indium Phosphide and Relat. Mater. (2012)
  6. A. Leuther, S. Koch, A. Tessmann, I. Kallfass, T. Merkle, H. Massler, R. Loesch, M. Schlechtweg, S. Saito, O. Ambacher. Proc. 23rd Int. Conf. Indium Phosphide Relat. Mater. (Berlin, Germany, 2011)
  7. M.-S. Son, B.-H. Lee, M.-R. Kim, S.-D. Kim, J.-K. Rhee. J. Kor. Phys. Soc., 44 (2), 408 (2004)
  8. А. Шиленас, Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, С.С. Пушкарев, Е.А. Климов. ФТП, 47 (3), 348 (2013)
  9. K. Povzela, A. vSilenas, J. Povzela, V. Juciene, G.B. Galiev, I.S. Vasil'evskii, E.A. Klimov. Appl. Phys. A, 109, 233 (2012)
  10. G.H. Jessen, R.C. Fitch, J.K. Gillespie, G. Via, A. Crespo, D. Langley, D. J. Denninghoff, M. Trejo, E.R. Heller. IEEE Trans. Electron. Dev., 54 (10), 2589 (2007)
  11. Р.А. Хабибуллин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, А.Н. Клочков, Н.А. Юзеева. ФТП, 45 (5), 666 (2011)
  12. S.S. Pushkarev, G.B. Galiev, E.A. Klimov, D.V. Lavrukhin, I.S. Vasil'evskii, R.M. Imamov, I.A. Subbotin, O.M. Zhigalina, V.G. Zhigalina, P.A. Buffat, B. Dwir, E.I. Suvorova. Proc. Int. Conf. Micro- and Nanoelectron. (Moscow--Zvenigorod, Russia, 2012) v. 1, p. 3
  13. Lorene A. Samoska. IEEE Trans. Terahertz Sci. Techn., 1 (1), 9 (2011)
  14. Dae-Hyun Kim, Suk-Jin Kim, Jae-Hak Lee, Ki-Woong Chung, Kwang-Seok Seo. Proc. of GaAs ManTech Digests (2004)
  15. E.V. Anichenko, E.V. Erofeev, S.V. Ishutkin, V.A. Kagadei, K.S. Nosaeva. Proc. Int. Conf. Microwave and telecommunication technology (Tomsk, Russia, 2010) p. 754
  16. B. Hadad, I. Toledo, G. Bunin, J. Kaplun, M. Leibovitch, Y. Shapira, Y. Knafo. Proc. of GaAs ManTech Digests (2004)
  17. Huang-Ming Lee, Edward Yi Chang, Szu-Hung Chen, Chun-Yen Chang. Jpn. J. Appl. Phys., 41, L1508 (2002)
  18. Z. Jiang, W. Wang, H. Gao, L. Liu, H. Chen, J. Zhou. Appl. Sur. Sci., 254, 5241 (2008)
  19. I. Tangring, S.M. Wang, M. Sadeghi, Q.F. Gu, A. Larsson. J. Cryst. Growth., 281, 220 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme