Исследованы особенности перестройки с ростом уровня возбуждения в спектрах катодолюминесценции эпитаксиальных слоев CdSe. Показано, что с ростом плотности тока возбуждения происходит следующая перестройка в спектрах при 78 K: линия А-экситона --- полосы невырожденной электронно-дырочной плазмы и полосы вырожденной электронно-дырочной плазмы.
А.В. Дуденкова, А.С. Насибов, Э.А. Сенокосов, С.Д. Скорбун, Ю.М. Попов, А.Н. Усатый, В.М. Царан. Квант. электрон., 8 (6), 1380 (1981)
Ву Зоан Мьен, Э.А. Сенокосов, В.Г. Стойкова, А.Н. Усатый, М.В. Чукичев. ФТП, 19 (9), 1571 (1985)
В.С. Вавилов, Э.А. Сенокосов, М.В. Чукичев. ФТТ, 28 (9), 2614 (1986)
Э.А. Сенокосов, В.И. Чукита, И.Н. Один, М.В. Чукичев, Е.С. Абрамова. Неорг. матер., 48 (12), 1299 (2012)
В.С. Днепровский, В.И. Климов, М.Г. Новиков. Письма ЖЭТФ, 52 (10), 1130 (1990)
В.С. Днепровский, В.И. Климов, М.Г. Новиков. Письма ЖЭТФ, 51 (4), 219 (1990)
Л.В. Келдыш. В сб.: Экситоны в полупроводниках (М., Наука, 1971) с. 5
В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987) с. 398
Э.Л. Холле. В сб.: Экситоны в полупроводниках (М., Наука, 1971) с. 93
В.П. Грибковский. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках (Минск, Наука и техника, 1975) с. 464
T. Metsukawa, R. Shimizu, K. Hazada, T. Kato. J. Apll. Phys. 45, 733 (1974)
Физика и химия соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-, пер. с англ. под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970) с. 246
N.F. Mott. J. Phil. Mag., 6, 287 (1961)
T. Morija, T. Kushida. J. Phys. Soc. Jpn., 43, 1646 (1977)
A. Mooradian, H. Fan. Phys. Rev., 148, 873 (1966)