Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Разработка конструкции многопереходных солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/Si методом компьютерного моделирования
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.
Проведен расчет конструкции двух и трех переходных солнечных элементов на основе GaPNAs/Si решеточно-согласованных гетероструктур. Показано, что двухпереходные солнечные элементы, состоящие из перехода на основе твердого раствора GaPNAs с шириной запрещенной зоны 1.78 эВ и перехода на основе Si, могут достигать кпд 30.3% при AM1.5D 100 мВт/см2 и 35.4 % при AM1.5D 20 Вт/см2. Максимальные значения кпд трехпереходного солнечного элемента, состоящего из верхнего и среднего перехода на основе GaPNAs с Eg 2 и 1.5 эВ соответственно и нижнего перехода на основе Si, составляют 39.2% при AM1.5D 100 мВт/см2 и 44.5% при AM1.5D 50 Вт/см2. Показано влияние толщины и времени жизни неосновных носителей заряда фотоактивных слоев на эффективность преобразования солнечной энергии разрабатываемых гетероструктур.
- J.M. Olson, D.J. Friedman, Sarah Kurtz. High-Efficiency III-V Multijunction Solar Cells Handbook of Photovoltaic Science and Engineering (N.Y., John Wiley \& Sons, Ltd, 2003)
- R.R. King, D.C. Law, K.M. Edmondson et al. Appl. Phys. Lett., 90, 183 516 (2007)
- M.A. Green. Proc. IEEE 4th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion (Hawaii, USA, 2006) p. 15
- J.F. Geisz, D.J. Friedman, S.R. Kurtz. Proc 29th IEEE PVSC (New Orleans, LA, 2002) p. 864
- M. Henini. Dilute nitride semiconductors (UK, Elsevier, 2005)
- J.F. Geisz, D.J. Friedman. Semicond. Sci. Technol., 17, 769 (2002)
- M. Gungerich, P.J. Klar, W. Heimbrodt, G. Weiser, A. Lindsay, C. Harris, E.P. O'Reilly. Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems (Germany, Springer, 2008)
- G. Biwa et al. J. Cryst. Growth, 195, 574, (1998)
- K. Ikeda, H. Xiuxun, B. Boussairi, Y. Ohshita. Solar Cells --- Research and Application Perspectives (Croatia, InTech, 2013)
- T. Mishima, M. Taguchi, H. Sakata, E. Maruyama. Sol. Energy Mater. \& Solar Cells, 95, 18, (2011)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
