"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Механизмы дефектообразования и рекристаллизации в пленках кремния на сапфире при ионном облучении
Шемухин А.А.1, Балакшин Ю.В.1,2, Черныш В.С.1,2, Голубков С.А.3, Егоров Н.Н.3, Сидоров А.И.3
1Научно-исследовательский институт им. Д.В. Скобельцына Московского государственного института им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Физический факультет Московского государственного института им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Научно-исследовательский институт материаловедения, Москва, Зеленоград, Россия
Поступила в редакцию: 4 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Исследовано влияние параметров облучения (энергия, доза) КНС-структур ионами Si+ на качество кристаллической структуры пленки кремния после проведения твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации и отжига. Показано, что наиболее эффективным механизмом восстановления кристаллической структуры является рекристаллизация от поверхностного слоя кремния, являющегося затравкой.
  • T. Nakamura, H. Matsuhashi, Y. Nagatomo. Oki Techn. Rev., 71 (4), 66 (2004)
  • Golecki, R.L. Maddox, K.M. Stika. J. Electron. Mater., 13 (2), 373 (1984)
  • А.А. Шемухин, Ю.В. Балакшин, В.С. Черныш, А.С. Патракеев, С.А. Голубков, Н.Н. Егоров, А.И. Сидоров, Б.А. Малюков, В.Н. Стаценко, В.Д. Чумак. ПЖТФ, 38 (19), 83 (2012)
  • П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Патент N 2427941 (2010)
  • Qi-Yuan Wang, Ji-Ping Nie, Fang Yu, Zhong-Li Liu, Yuan-Huan Yu. Mater. Sci. Eng. B, 72, 189 (2000)
  • В.М. Воротынцев, Е.Л. Шолобов, В.А. Герасимов. ФТП, 45 (12), 1662 (2011)
  • А.А. Шемухин, Ю.В. Балакшин, П.Н. Черных, В.С. Черныш. Поверхность 4, 25 (2013)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.