"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесцентные исследования метаморфных наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.75Ga0.25As/In0.7Al0.3As на подложках GaAs
Галиев Г.Б.1, Климов Е.А.1, Клочков А.Н.1, Лаврухин Д.В.1, Пушкарев С.С.1, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 17 сентября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

Экспериментально исследовано влияние конструкции метаморфного буфера метаморфных наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.75Ga0.25As для HEMT на их электрофизические параметры и фотолюминесцентные свойства. Исследуемые гетероструктуры были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs(100) с использованием линейного или ступенчатого метаморфного буфера InxAl1-xAs. В образцах с линейным метаморфным буфером внутрь буфера были введены сбалансированно-рассогласованные сверхрешетки или инверсные ступени. В области энергии фотонов 0.6<homega<0.8 эВ спектры фотолюминесценции для всех образцов идентичны и соответствуют переходам из первой и второй подзон электронов в зону тяжелых дырок в квантовой яме In0.75Ga0.25As/In0.7Al0.3As. Обнаружено, что ширина на половине высоты соответствующей полосы пропорциональна двумерной концентрации электронов, а интенсивность люминесценции возрастает с увеличением холловской подвижности в гетероструктурах. В диапазоне энергий фотонов 0.8<homega<1.3 эВ, соответствующем рекомбинации носителей в барьерной области InAlAs, обнаружены особенности в спектрах фотолюминесценции. Эти особенности связаны с различием профиля распределения индия в заглаживающих и нижних барьерных слоях образцов, обусловленным различной конструкцией метаморфного буфера.
  • D.-H. Kim, J.A. del Alamo. IEEE Electron Dev. Lett., 31 (8), 806 (2010)
  • D.-H. Kim, B. Brar, J.A. del Alamo. IEEE Int. Electron Dev. Meeting (Washington DC, 2011) 13.6.1
  • Г.Б. Галиев, С.С. Пушкарев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, Р.М. Имамов, И.А. Субботин, Е.С. Павленко, А.Л. Кванин. Кристаллография, 57 (6), 954 (2012)
  • G.B. Galiev, I.S. Vasil'evskii, S.S. Pushkarev, Е.А. Klimov, R.M. Imamov, P.A. Buffat, B. Dwir, Е.I. Suvorova. J. Cryst. Growth, 366, 55 (2013)
  • X.Z. Shang, Jing Wu, W.C. Wang, W.X. Wang, Q. Huang, J.M. Zhou. Solid-State Electron., 51, 85 (2007)
  • L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75 (10), 4779 (1994)
  • Y. Takano, K. Kobayashi, H. Iwohori, K. Kuwahara, S. Fuke, S. Shirakata. Appl. Phys. Lett., 80 (12), 2054 (2002)
  • S.K. Brierley. J. Appl. Phys., 74 (4), 2760 (1993)
  • J.M. Gilperez, J.L. Sanchez-Rojas, E. Munoz, E. Calleja, J.P.R. David, M. Reddy, G. Hill, J. Sanchez-Dehesa. J. Appl. Phys., 76 (10), 5931 (1994)
  • S.K. Brierley, A. Torabi, R.S. Lyman. J. Appl. Phys., 86 (2), 914 (1999)
  • K. Watanabe, H. Yokoyama. J. Appl. Phys., 86, 4333 (1999)
  • A. Dodabalapur, K. Sadra, B. Streetman. J. Appl. Phys., 68, 411 (1990)
  • H. Brugger, H. Mussig, C. Wolk, K. Kern, D. Heitmann. Appl. Phys. Lett., 59, 2739 (1991)
  • G.L. Zhou, W. Liu, M.E. Lin. J. Cryst. Growth, 227--228, 218 (2001)
  • Н.Г. Яременко, Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, М.В. Карачевцева, В.А. Страхов. Радиотехника и электроника, 58 (3), 276 (2013)
  • M. Wojtowicz, D. Pascua, A.-C. Han, T.R. Block, D.C. Streit. J. Cryst. Growth, 175/176, 930 (1997)
  • X.Z. Shang, J. Wu, W.C. Wang, W.X. Wang, Q. Huang, J.M. Zhou. Solid-State Electron., 51, 85 (2007)
  • T. Mishima, M. Kudo, J. Kasai, K. Higuchi, T. Nakamura. J. Cryst. Growth, 201/202, 271 (1999)
  • X.Z. Shang, S.D. Wu, C. Liu, W.X. Wang, L.W. Guo, Q. Huang, J.M. Zhou. J. Phys. D: Appl. Phys., 39, 1800 (2006)
  • Г.Б. Галиев, С.С. Пушкарев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, Р.М. Имамов. ФТП, 47 (7), 990 (2013)
  • Г.Б. Галиев, С.С. Пушкарев, И.С. Васильевский, О.М. Жигалина, Е.А. Климов, В.Г. Жигалина, Р.М. Имамов. ФТП, 47 (4), 510 (2013)
  • Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин. ФТП, 40 (12), 1479 (2006)
  • I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  • S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group IV, III--V and II--VI Semiconductors (John Wiley \& Sons, 2009) p. 157
  • В.Я. Демиховский, Г.А. Вугальтер. Физика квантовых низкоразмерных структур (М., Логос, 2000)
  • J. Hellara, K. Borgi, H. Maaref, V. Souliere, Y. Monteil. Mater. Sci. Engin. C, 21, 231 (2002).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.