"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оценка качества эпитаксиальных слоев GaAs и их интерфейсов посредством анализа спектров экситонного поглощения
Григорьева Н.Р.1, Егоров А.Ю.2, Зайцев Д.А.3, Никитина Е.В.2, Сейсян Р.П.3
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

Оптические экситонные спектры чувствительны даже к весьма незначительным изменениям свойств материала. Особенно информативны спектры такой квазичастицы как экситонный поляритон, хотя их спектроскопия и накладывает ограничения по температуре измерений и качеству материала. Параметры экситона, такие как резонансная частота omegaT и коэффициент затухания Gamma, могут меняться под действием электрического поля, наличия дефектов, изменения химического состава пленки. Если свойства материала изменяются по толщине пленки, то и резонансная частота, и коэффициент затухания тоже изменяются вдоль пространственной координаты z. Исследовались нелегированные слои GaAs при T = 1.7 K, выращенные эпитаксиально на подложке из GaAs. По спектрам экситонного края поглощения выполнены оценки глубин "мертвых" слоев, электрических полей и концентрации примесей.
  • В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. (СПб. Изд-во СПб. ун-та, 2003)
  • В.В. Колосов. Авотореф. канд. дис. (Л., 1978); R.G. Damburg, V.V. Kolosov. J. Phys. B, 9 3358 (1976)
  • Н.Н. Ахмедиев. ЖЭТФ, 79 (4(10)), 1534 (1980)
  • С.А. Ваганов, Р.П. Сейсян. Письма в ЖТФ, 39, 38 (2012)
  • Р.П. Сейсян, М.А. Абдуллаев, Б.П. Захарченя. ФТП, 7, 958 (1973)
  • Д.К. Логинов, Е.В. Убыйвовк, Ю.П. Ефимов, В.В. Петров, С.А. Елисеев, Ю.К. Долгих, И.В. Игнатьев, В.П. Кочерешко,А.В. Селькин. ФТТ, 48 (11), 1979 (2006)
  • A. Tredicucci, Y. Chen, F. Bassani, J. Massies, C. Deparis, G. Neu. Phys. Rev. B, 47 (16), 10 348 (1993)
  • R. Seisyan. Semicond. Sci. Technol. 27 053 001 (2012)
  • Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов (М., Наука, 1984)
  • G.N. Aliev, N.V. Lukyanova, R.P. Seisyan, M.R. Vladimirova, H. Gibbs, G. Khitrova. Phys. Status. Solidi A, 164, 193 (1997).
  • Е.В. Убыйвовк, Д.К. Логинов, И.Я. Герловин, Ю.К. Долгих, Ю.П. Ефимов, С.А. Елисеев, В.В. Петров, О.Ф. Вывенко, А.А. Ситникова, Д.А. Кириленко. ФТТ, 51, (9), 1818 (2009)
  • В.Л. Берковиц, Т.В. Львова, В.П. Улин. ФТП, 45 (12), 1637 (2011)
  • М. Маркосов, Р.П. Сейсян. ФТП, 42 (3), 656 (2009).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.