Целью работы было сравнение результатов переноса слоев графена и мультиграфена толщиной до 5 нм, выращенных методом химического газофазного осаждения при пониженном давлении (CVD), на подложку SiO2/Si с использованием четырех различных полимерных пленок. Выбранные способы переноса основывались на наиболее перспективных литературных вариантах: использование полиметил метакрилата, полидиметилсилоксана, термоскотча и поликарбоната. Показано, что наиболее перспективным способом переноса (минимальное сопротивление и максимальная подвижность носителей) является использование тонких пленок поликарбоната с растворением их в хлороформе. В этом случае стабильно получались следующие результаты: сопротивление графена и мультиграфена составляло 250-900 Ом/#, а подвижность носителей 900-2500 см2/В·с.
V. Singh, D. Joung, L. Zhai, S. Das, S.I. Khondaker, S. Seal. Progr. Mater. Sci., 56, 1178 (2011)
I.A. Kotin, I.V. Antonova, A.I. Komonov, V.A. Seleznev, R.A. Soots, V.Ya. Prinz. J. Phys. D, 46, 285 303 (2013)
I. Antonova, S. Mutilin, V. Seleznev, R. Soots, V. Volodin, V. Prinz. Nanotechnology, 22, 285 502 (2011)
I.V. Antonova, I.A. Kotin, R.A. Soots, V.A. Volodin, V.Ya. Prinz. Nanotechnology, 23, 315 601 (2012)
W. Liu, H. Li, C. Xu, Y. Khatami, K. Banerjee. Carbon, 49, 4122 (2011)
T. Kobayashi, M. Bando, N. Kimura, K, Shimizu, K. Kadono, N. Umezu, K. Miyahara, S. Hayazaki, S. Nagai, Y. Mizuguchi, Y. Murakami, D. Hobara. Appl. Phys. Lett., 102, 023 112 (2013)
H. Zhou, W.J. Yu, L. Liu, R. Cheng, Y. Chen, X. Huang, Y. Liu, Y. Wang, Y. Huang, X. Duan. Nature Commun., 4, 2096 (2013)
N. Petrone, C.R. Dean, I. Meric, A.M. van der Zande, P.Y. Huang, L. Wang, D. Muller, K.L. Shepard, J. Hone. Nano Lett., 12, 2751 (2012)
J.W. Suk, A. Kilt, C.W. Magnuson, Y. Hao, S. Ahmed, J. An, A.K. Swan, B.B. Goldberg, R.S. Ruoff. ACS Nano, 5, 6916 (2011)
Y. Lee, S. Bae, H. Jang, S. Jang, S.-F. Zhu, S.H. Sim, Y. Song, B.H. Hong, J.-H. Ahn. Nano Lett., 10, 490 (2010)
J.D. Caldwell, T.J. Anderson, J.C. Culbertson, G.G. Jernigan, K.D. Hobart, F.J. Kub, M.J. Tadjer, J.L. Tedesco, J.K. Hite, M.A. Mastro, R.L. Myers-Ward, C.R. Eddy, P.M. Campbell, D.K. Gaskil. ACS Nano, 4, 1108 (2010)
Y.-C. Lin, C. Jin, J.-C. Lee, S.-F. Jen, K. Suenaga, P.-W. Chiu. ACS Nano, 5, 2362 (2011)
Y. Wang, Y. Zheng, X. Xu, E. Dubuisson, Qi. Bao, J. Lu, K.P. Loh. ACS Nano, 5, 9927 (2011)
A. Mameli, G.V. Bianco, M.M. Giangregorio, P. Capezzuto, M. Losurdo, G. Bruno. Abstr. Int. Conf. Graphene-2013 (Bilbao, 2013)
S. Chen, H. Ji, H. Chou, Q. Li, H. Li, J.W. Suk, R. Piner, L. Liao, W. Cai, R.S. Ruoff. Advanced Mater. (2013). DOI: 10.1002/adma.201204000
X. Li, C.W. Magnuson, A. Venugopal, R.M. Tromp, J.B. Hannon, E.M. Vogel, L. Colombo, R.S. Ruoff. J. Am. Chem. Soc., 133, 2816 (2011)
H. Wang, T. Taychatanapat, A. Hsu, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Jarillo-Herrero, T. Palacios. IEEE Electron. Dev. Lett., 32, 1209 (2011)
L. Britnell, R.V. Gorbachev, R. Jalil, B.D. Belle, F. Schedin, M.I. Katsnelson, L. Eaves, S.V. Morozov, N.M.R. Peres, J. Leist, A.K. Geim, K.S. Novoselov, L.A. Ponomarenko. Science, 335, 247 (2012)