"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние монооксида кремния на процесс формирование кремниевых нанокластеров (моделирование методом Монте-Карло)
Михантьев Е.А.1, Неизвестный И.Г.1, Усенков С.В.1, Шварц Н.Л.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 5 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.
Исследовалось формирование нанокластеров кремния (Si-НК) в процессе отжига слоев состава SiOx (1=<q x<2) с использованием решеточной Монте-Карло модели. Моделирование проводилось с учeтом дополнительного механизма переноса кремния за счeт диффузии частиц монооксида кремния (SiO). Показано, что наличие SiO в системе приводит к увеличению размера критического зародыша Si-НК и может приводить к увеличению скорости роста нанокластеров. Формирование Si-НК при отжиге слоeв SiOx происходило только для состава x<1.8. При отжиге слоeв SiOx на кремниевой подложке наблюдалось появление области обеднения нанокластерами прилегающего к подложке слоя. Это даeт возможность получения в матрице SiO2 Si-НК , отстоящих на определенном расстоянии от границы раздела Si/SiO2.
  • L. Pavesi, L.D. Negro, C. Mazzoleni, G. Franzo, F. Priolo. Nature, 408, 440 (2000)
  • Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures, ed. by N. Koshida (Springer, 2009)
  • Silicon Nanocrystals: Fundamentals, Synthesis and Applications, ed. by L. Pavesi, R. Turan. (Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co. KGaA, 2010)
  • L. Khriachtchev, M. Rasanen, S. Novikov, J. Sinkkonen. Appl. Phys. Lett., 79 (9), 1249 (2001)
  • C.Y. Ng, T.P. Chen, M.S. Tse, V.S.W. Lim, S. Fung, A.A. Tseng. Appl. Phys. Lett., 86, 152 110 (2005)
  • S.D. Sarma, R. de Sousa, X. Hu, B. Koiller. Sol. St. Commun., 133 (11), 737 (2005)
  • V. Beyer, J. von Borany, K.-H. Heinig. J. Appl. Phys., 101, 053 516 (2007)
  • Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, M.-O. Ruault, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев, O. Kaitasov, H. Bernas. ФТП, 34 (8), 1004 (2000)
  • S. Cheylan, R.G. Elliman, K. Gaff, A. Durandet. Appl. Phys. Lett., 78 (12), 1670 (2001)
  • N. Daldosso, G. Das, S. Larcheri, G. Mariotto, G. Dalba, L. Pavesi, A. Irrera, F. Priolo, F. Iacona, F. Rocca. J. Appl. Phys., 101, 113 510 (2007)
  • А.Н. Карпов, Д.В. Марин, В.А. Володин, J. Jedrzejewski, Г.А. Качурин, E. Savir, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая, I. Balberg, Y. Goldstein. ФТП, 42 (6), 753 (2008)
  • J. Wang, X.F. Wang, Q. Li, A. Hryciw, A. Meldrum. Phil. Mag., 87 (1), 11 (2007)
  • D. Comedi, O.H.Y. Zalloum, E.A. Irving, J. Wojcik, T. Roschuk, M.J. Flynn, P. Mascher. J. Appl. Phys., 99, 023 518 (2006)
  • F. Iacona, G. Franzo, C. Spinella. J. Appl. Phys, 87, 1295 (2000)
  • L.A. Nesbit. Appl. Phys. Lett., 46 (1), 38 (1985)
  • D. Tsoukalas, C. Tsamis, P. Normand. J. Appl. Phys., 89 (12), 7809 (2001)
  • S. Fukatsu, T. Takahashi, K.M. Itoh, M. Uematsu, A. Fujiwara, H. Kageshima, Y. Takahashi, K. Shiraishi, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 83 (19), 3897 (2003)
  • T. Takahashi, S. Fukatsu, K.M. Itoh, M. Uematsu, A. Fujiwara, H. Kageshima, Y. Takahashi, K. Shiraishi. J. Appl. Phys., 93 (6), 3674 (2003)
  • K. Furukawa Y. Liu, H. Nakashima, D. Gao, K. Uchino, K. Muraoka, H. Tsusuki. Appl. Phys. Lett., 72 (6), 725 (1998)
  • H. Kageshima, K. Shiraishi. Phys. Rev. Lett., 81 (26), 5936 (1998)
  • T.A. Kirichenko, D. Yu, S.K. Banerjee, G.S. Hwang. Phys. Rev. B., 72, 035 345 (2005)
  • A. Korkin, J.C. Greer, G. Bersuker, V.V. Karasiev, R.J. Bartlett. Phys. Rev. B, 73, 165 312 (2006)
  • A. Bongiorno, A. Pasquarello. Phys. Rev. Lett., 88, 125 901 (2002)
  • R.Q. Zhang, M.W. Zhao, S.T. Lee. Phys. Rev. Lett., 93, 095 503 (2004)
  • T. Muller, K.-H. Heinig, W. Moller. Mater. Sci. Engin. B, 101, 49 (2003)
  • D. Yu, S. Lee, G.S. Hwang. J. App. Phys., 102, 084 309 (2007)
  • А.В. Зверев, И.Г. Неизвестный, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая. Российские нанотехнологии, 3 (5-6), 175 (2008)
  • Е.А. Михантьев, И.Г. Неизвестный, С.В. Усенков, Н.Л. Шварц. Автометрия, 47 (5), 88 (2011)
  • А.В. Зверев, К.Ю. Зинченко, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая. Российские нанотехнологии, 4 (3-4), 85 (2009)
  • Г.Я. Красников, Н.А. Зайцев, И.В. Матюшкин. ФТП, 37 (1), 44 (2003)
  • В.М. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Венгер. Кислород в монокристаллах кремния (Киев, Интерпресс ЛТД, 1997)
  • D. Bahloul-Hourlier, P. Perrot. J. Phase Equil. Diff., 28 (2), 150 (2007)
  • F.T. Ferguson, J.A. Nuth III. J. Chem. Eng. Data., 53, 2824 (2008).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.