"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние ориентированной деформации и gamma-облучения на уровни платины в кремнии
Лебедев А.А., Султанов Н.А.
Выставление онлайн: 20 декабря 1987 г.

При диффузионном легировании платина образует в кремнии акцепторы и доноры с энергиями ионизации Ea=Ec-0.26 и Ev+0.36 эВ с сечениями захвата носителей тока 9.7· 10-15 и 3.8·10-14 см2 соответственно. В n-Si преобладают акцепторы, в p-Si --- доноры. Под действием одноосного давления Ea уменьшается. Изменение Ea составляет 13-36 мэВ/ГПа в зависимости от ориентации образца. После облучения gamma-квантами 60Со концентрация уровней Pt незначительно уменьшается (на 20% при дозе 7.4· 1018 кв/см2). Скорость образования радиационных дефектов в Si (Pt) выше, чем в контрольных образцах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.