"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs
Марков А.В., Омельяновский Э.М., Освенский В.Б., Поляков А.Я., Ковальчук И.А., Райхштейн В.И., Тишкин М.В.
Выставление онлайн: 20 декабря 1987 г.

Изучена связь между распределением плотности дислокаций и концентрацией глубоких центров в полуизолирующих кристаллах арсенида галлия. Из исследований, проведенных методами фотоэлектрической релаксационной спектроскопии, фотопроводимости, фотоэлектрохимического тока, видно, что помимо известных центров EL2 изменение плотности дислокаций влияет на концентрацию электронных ловушек Ec=-0.35 эВ (эта концентрация растет с ростом плотности дислокаций) и дырочных ловушек Ev+0.25 и Ev+0.35 эВ (их концентрации падают в высокодислокационных областях). Сопоставление с данными, полученными на кристаллах, выращенных из расплавов с различающейся стехиометрией, позволяет предположить, что наблюдаемая корреляция связана с обогащением областей вокруг дислокаций в GaAs мышьяком. Показано, что обнаруженные центры определяют и спектры фотопроводимости, а также фоточувствительность нелегированного полуизолирующего GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.