Анализируется положение уровня Ферми в полупроводниках, подвергнутых одноосному сжатию, с учетом расщепления глубоких уровней дефектов вследствие снятия ориентационного либо электронного вырождения. Исследования кремния, содержащего дефекты с энергетическим уровнем E_c-0.17 эВ, методом пьезо-холл-эффекта указывают на расщепление данного уровня при приложении одноосных нагрузок вдоль основных кристаллографических направлений, которое характерно для центров с симметрией C_2v.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.