"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние гофрировки валентных зон на энергию Gamma+8-уровней мелких акцепторов в кубических полупроводниках
Полупанов А.Ф., Таскинбоев Р.
Выставление онлайн: 20 декабря 1987 г.

В приближении эффективной массы с учетом гофрировки валентных зон вычислены энергии 1Gamma+8- и 2Gamma+8-уровней мелких акцепторов в целом ряде кубических полупроводников с помощью численного невариационного метода --- метода переноса условий ограниченности решений из особых точек. Показано, что, хотя гофрировочные поправки (ГП) для этих уровней появляются лишь во втором порядке теории возмущений по несферичности валентных зон, а параметр валентной зоны delta, характеризующий эту несферичность, мал (delta<<1), ГП не малы (~10%), в частности, по сравнению с центрально-ячеечными и поляронными поправками и учет их в некоторых случаях необходим. Это связано с большой величиной эффективной массы тяжелой дырки mhh: малый параметр теории возмущений есть delta/(1-mu), где mu --- параметр валентной зоны, а mhh~(1-mu)-1 в сферическом приближении.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.