Представлены результаты исследования электрических и фотоэлектрических свойств монокристаллов ZnIn₂Se₄ n-типа проводимости в интервале температур 77/300 K, Обнаружены термостимулированная проводимость, токи, ограниченные объемными зарядами, долговременная релаксация и остаточная проводимость. Установлено, что в запрещенной зоне монокристаллов ZnIn₂Se₄ присутствуют медленные, экспоненциально распределенные в энергетическом интервале 0.12/0.3 эВ уровни прилипания для электронов. Определены параметры уровней прилипаний и рекомбинаций в ZnIn₂Se₄.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.