Теоретически рассмотрена возможность создания одномерного электронного газа в МДП и гетероструктурах на профилированной поверхности полупроводника. Вычислены энергии квантовых уровней в такой системе. Оценена область напряжений на затворе, в которой система будет носить одномерный характер. Рассмотрена также степень анизотропии указанных структур при больших поверхностных концентрациях носителей, когда электронный газ является двумерным и занимает всю поверхность полупроводника.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.