Предложен новый метод спектроскопии локализованных электронных состояний у границы раздела полупроводник-диэлектрик, основанный на модуляции темпа опустошения ловушек в процессе релаксации их заполнения путем периодического изменения температуры образца. По измеренным зависимостям медленно спадающей со временем и осциллирующей синхронно с температурой компонент разрядного тока можно одновременно определять спектральную плотность локализованных состояний и сечение захвата на них свободных носителей заряда.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.