Вышедшие номера
Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере Hg1-xCdxTe разных состава и легирования)
Раданцев В.Ф.
Выставление онлайн: 19 сентября 1988 г.

Экспериментально (из анализа магнитоосцилляций емкости) и теоретически (в квазиклассическом приближении) исследованы параметры заселенностей и циклотронные массы в подзонах размерного квантования приповерхностных слоев Hg1-xCdxTe в зависимости от состава (x= 0.09/0.3), поверхностной плотности носителей, типа и уровня легирования. Адекватность квазиклассического описания подзон в кейновских полупроводниках объясняется многозонностью спектра и близостью приповерхностного потенциала к кулоновскому. Проводится аналогия между газом приповерхностных электронов рассматриваемой системы и ультрарелятивистским газом вакуумного конденсата электронов вблизи сверхзаряженных ядер. В рамках ультрарелятивистского подхода объяснена независимость параметров подзон от величины щели varepsilong и перемешивания состояний двумерного слоя и объема. Как в инверсионных, так и в обогащенных слоях число подзон размерного квантования определяется в основном уровнем легирования материала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.