Изучены вольтамперные характеристики (ВАХ) кремниевых p-n-переходов в сильных СВЧ полях. Оказалось, что изменение ВАХ этих p-n-переходов наблюдается уже в относительно слабых полях, когда рост температуры носителей заряда еще не заметен. Исследовано поведение коэффициента неидеальности, тока короткого замыкания I_кз от напряжения холостого хода U_xx в этих условиях. По зависимости I_кз обратной температуры носителей заряда определена высота барьера, который необходимо преодолеть носителям для рекомбинации. Рост U_xx не согласуется с изменением температуры носителей заряда. Обсуждены возможные механизмы возникновения ЭДС в кремниевых p-n-переходах в сильных СВЧ полях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.