Методами ИК спектроскопии, нестационарной емкостной спектроскопии и по эффекту Холла исследовано влияние кислородосодержащих термодоноров (ТД), образующихся в n-Si при 450^oС, на кинетику накопления A-, E- и V₂-центров. Показано отсутствие влияния ТД (при N_ТД=10¹³/3·10¹⁶ см^-3) на генерацию этих РД в диапазоне доз электронного (E_e=3 МэВ) облучения 10¹³/1.4·10¹⁸ см^-2. Обнаружено аномальное уменьшение подвижности носителей тока в облученном кремнии, содержащем ТД. Полученные результаты объясняются отсутствием взаимодействия ТД с компонентами пар Френкеля, а также неоднородным распределением ТД в кремнии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.