Исследованы радиационно-стимулированные процессы в полупроводниках при импульсном воздействии ориентированного пучка быстрых заряженных частиц. Впервые получены оценки коэффициента радиационно-стимулированной диффузии и вероятности подпорогового дефектообразования с учетом кооперативных эффектов, связанных с присутствием очень плотной (~10¹⁸ см^-3) электрон-дырочной плазмы, на примере кремния. При оценке вероятности образования дефектов Френкеля учтен вклад частиц, находящихся в режиме надбарьерного каналирования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.