Проведены теоретическое и экспериментальное исследования эффекта релаксационной задержки пробоя асимметричных p⁺-n-переходов с глубокими уровнями. Получены аналитические соотношения между концентрацией глубоких уровней N_t, временем задержки t_b и напряжением U_b пробоя для случая скачкообразного увеличения напряжения, учитывающие полевую зависимость скорости эмиссии ап электронов с глубоких уровней. Указана возможность определения зависимости a_n от температуры T в слабом поле при больших N_t на основе результатов измерения t_b при произвольном монотонном увеличении напряжения смещения. На экспериментальных зависимостях U_b(T), полученных в режиме релаксационной задержки пробоя кремниевых p⁺-n-переходов, легированных серой, обнаружены две аномалии при 77-120 и 150-230 K. Эти аномалии вызваны перезарядкой двух уровней серы, известных из литературы. Количественный анализ зависимостей U_b(T) в области высокотемпературной аномалии, проведенный на основе полученных в работе формул с учетом эффекта Френкеля-Пула, дал экспоненциальную зависимость a_n(T) с энергией активации varepsilon_t=0.354 эВ, прекрасно согласующейся с опубликованными данными емкостной спектроскопии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.