Методом сопоставления вольтамперных и вольттемпературных характеристик проводимости измерена зависимость электронной температуры T_e от электрического поля E и установлена функциональная связь мощности потерь P электронной подсистемы с электронной температурой. Исследовались селективно легированные гетероструктуры n-Al_xGa_1-xAs/GaAs с n_s=(0.48/2.7)·10¹² см^-2 и mu=(0.80/3.18)·10⁵ см²/В·с в температурном диапазоне T=4.2/24 K и E=<30 В/см. В области слабого разогрева T_e=<20 K, E=<10 В/см, T_e~ E², P~ T_e², что указывает на акустический механизм релаксации. В области сильного разогрева T_e~ E¹, P~ T³_e и основную роль играют оптические фононы. Выполнены измерения разогревных эффектов в магнитном поле.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.