"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние импульсного лазерного облучения на профиль подвижности и проводимости эпитаксиальных слоев GaAs
Гусаков Г.М., Кодратова Т.Н., Капский К.С., Ларюшин А.И.
Выставление онлайн: 19 сентября 1989 г.

Проведены исследования влияния импульсного лазерного облучения (ИЛО) на профиль проводимости и подвижности эпитаксиальных слоев GaAs<Ge> n-i- и n+-n-i-структур в нормальных условиях и в условиях повышенного давления (до 200 атм) в атмосфере Аr и O2. Показано, что ИЛО GaAs приводит к возникновению на поверхности слабопроводящего слоя в зависимости от плотности энергии облучения E. Обсуждаются возможные причины снижения активности примеси и данные электронографии по качеству поверхности образцов в зависимости от условий облучения материала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.